- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,198
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 11A TO220AB | TrenchMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 36W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 11A (Tc) | 150 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 5.5nC @ 10V | 322pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,498
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3 | OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 36W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 27A (Tc) | 26 mOhm @ 27A, 10V | 4V @ 11µA | 15nC @ 10V | 1200pF @ 30V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,970
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 | OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 36W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 30A (Tc) | 23 mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 11µA | 10nC @ 4.5V | 1600pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V |