- 零件状态 :
- 包装材料 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
- Vgs（最大值） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,923
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 188W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 120A (Tc) | 2.8 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 140µA | 195nC @ 10V | 15750pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,887
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | PG-TO263-7-3 | 188W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 180A (Tc) | 1.2 mOhm @ 100A, 10V | 2.2V @ 140µA | 245nC @ 10V | 19100pF @ 25V | 4.5V, 10V | +20V, -16V | ||
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获得报价 |
1,415
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8HSOF | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSFN | PG-HSOF-8-1 | 188W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 250A (Tc) | 1.7 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 80µA | 100nC @ 10V | 7900pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,419
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 188W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 120A (Tc) | 2.8 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 140µA | 195nC @ 10V | 15750pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1