- 供应商设备包 :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
755
有现货
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Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A PQFN | - | Last Time Buy | Tube | GaNFET (Gallium Nitride) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 3-PowerDFN | PQFN (8x8) | 65W (Tc) | N-Channel | 600V | 9A (Tc) | 350 mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3nC @ 4.5V | 760pF @ 480V | 8V | ±18V | ||
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获得报价 |
2,306
有现货
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Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A PQFN | - | Last Time Buy | Tube | GaNFET (Gallium Nitride) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerDFN | PQFN (8x8) | 65W (Tc) | N-Channel | 600V | 9A (Tc) | 350 mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3nC @ 4.5V | 760pF @ 480V | 8V | ±18V | ||
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获得报价 |
3,743
有现货
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Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | - | Last Time Buy | Tube | GaNFET (Gallium Nitride) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 65W (Tc) | N-Channel | 600V | 9A (Tc) | 350 mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3nC @ 4.5V | 760pF @ 480V | 8V | ±18V | ||
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获得报价 |
1,102
有现货
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Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | - | Last Time Buy | Tube | GaNFET (Gallium Nitride) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 65W (Tc) | N-Channel | 600V | 9A (Tc) | 350 mOhm @ 5.5A, 8V | 2.5V @ 250µA | 9.3nC @ 4.5V | 760pF @ 480V | 8V | ±18V |