- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,915
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 | OptiMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | PG-TO-220-3 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 100A (Tc) | 7.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 270µA | 93nC @ 10V | 5470pF @ 75V | 8V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
941
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3 | PowerTrench® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | 333W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 130A (Tc) | 7.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 100nC @ 10V | 7350pF @ 75V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,129
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 | OptiMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | PG-TO-220-3 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 100A (Tc) | 7.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 270µA | 93nC @ 10V | 5470pF @ 75V | 8V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,859
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3 | PowerTrench® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | 333W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 130A (Tc) | 7.5 mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 100nC @ 10V | 7350pF @ 75V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1