- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,677
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 150V 90A TO-263 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (IXTA) | 455W (Tc) | N-Channel | 150V | 90A (Tc) | 20 mOhm @ 45A, 10V | 4.5V @ 1mA | 80nC @ 10V | 4100pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,322
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (IXFA) | 360W (Tc) | N-Channel | 100V | 130A (Tc) | 9.1 mOhm @ 65A, 10V | 4.5V @ 1mA | 130nC @ 10V | 6600pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,621
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | TrenchMV™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (IXFA) | 360W (Tc) | N-Channel | 100V | 130A (Tc) | 9.1 mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 1mA | 104nC @ 10V | 5080pF @ 25V | 10V | - |