- 系列 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,582
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 | TrenchMV™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ | 200W (Tc) | N-Channel | 55V | 160A (Tc) | 4 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 200nC @ 10V | 9800pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
860
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 55V 150A I4-PAC-5 | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ | - | N-Channel | 55V | 150A (Tc) | 4.9 mOhm @ 110A, 10V | 4V @ 1mA | 86nC @ 10V | - | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,979
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | ISOPLUS i4-PAC™ | - | N-Channel | 55V | 100A (Tc) | 7.2 mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 1mA | 100nC @ 10V | - | 10V | ±20V |