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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXTV280N055TS
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RFQ
826
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IXYS MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD TrenchMV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PLUS-220SMD 550W (Tc) N-Channel - 55V 280A (Tc) 3.2 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 200nC @ 10V 9800pF @ 25V 10V ±20V
IXTV250N075TS
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RFQ
2,397
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IXYS MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD TrenchMV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PLUS-220SMD 550W (Tc) N-Channel - 75V 250A (Tc) 4 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 200nC @ 10V 9900pF @ 25V 10V ±20V
IXTV230N085TS
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RFQ
2,592
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IXYS MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD TrenchMV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PLUS-220SMD 550W (Tc) N-Channel - 85V 230A (Tc) 4.4 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 187nC @ 10V 9900pF @ 25V 10V ±20V
IXTV200N10TS
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2,802
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IXYS MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD TrenchMV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PLUS-220SMD 550W (Tc) N-Channel - 100V 200A (Tc) 5.5 mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 250µA 152nC @ 10V 9400pF @ 25V 10V ±30V
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RFQ
3,251
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IXYS MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S PolarHT™ HiPerFET™ Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PLUS-220SMD 480W (Tc) N-Channel - 150V 96A (Tc) 24 mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 110nC @ 10V 3500pF @ 25V 10V ±20V
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RFQ
1,885
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IXYS MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S PolarHT™ HiPerFET™ Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PLUS-220SMD 480W (Tc) N-Channel - 200V 74A (Tc) 34 mOhm @ 37A, 10V 5V @ 4mA 107nC @ 10V 3300pF @ 25V 10V ±20V
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RFQ
2,617
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IXYS MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S PolarHT™ HiPerFET™ Obsolete Bulk MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PLUS-220SMD 480W (Tc) N-Channel - 100V 110A (Tc) 15 mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 110nC @ 10V 3550pF @ 25V 10V ±20V
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