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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V PQFN HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-TQFN Exposed Pad 8-PQFN (5x6) 94W (Tc) N-Channel - 40V 95A (Tc) 3.3 mOhm @ 50A, 10V 3.9V @ 100µA 98nC @ 10V 3174pF @ 25V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 40V 80A 8PQFN - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 214W (Tj) N-Channel - 40V 80A (Tc) 1.8 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 92nC @ 10V 5150pF @ 20V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET NCH 100V 58A PQFN Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 4.3W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 100V 58A (Tc) 14.5 mOhm @ 35A, 10V 4V @ 100µA 74nC @ 10V 3050pF @ 25V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 50W (Tj) N-Channel - 60V 30A (Tc) 15 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 881pF @ 30V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 50W (Tj) N-Channel - 60V 30A (Tc) 15 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 881pF @ 30V 10V ±20V
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ON Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 50W (Tj) N-Channel - 60V 30A (Tc) 15 mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 881pF @ 30V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN HEXFET® Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 4.3W (Ta), 94W (Tc) N-Channel - 40V 95A (Tc) 3.3 mOhm @ 50A, 10V 3.9V @ 100µA 98nC @ 10V 3174pF @ 25V 10V ±20V
AUIRFN8403TR
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN HEXFET® Not For New Designs Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 4.3W (Ta), 94W (Tc) N-Channel - 40V 95A (Tc) 3.3 mOhm @ 50A, 10V 3.9V @ 100µA 98nC @ 10V 3174pF @ 25V 10V ±20V
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN HEXFET® Not For New Designs Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 4.3W (Ta), 94W (Tc) N-Channel - 40V 95A (Tc) 3.3 mOhm @ 50A, 10V 3.9V @ 100µA 98nC @ 10V 3174pF @ 25V 10V ±20V
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