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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXTF280N055T
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RFQ
3,582
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IXYS MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 TrenchMV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 ISOPLUS i4-PAC™ 200W (Tc) N-Channel - 55V 160A (Tc) 4 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 200nC @ 10V 9800pF @ 25V 10V ±20V
IXTF250N075T
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RFQ
830
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IXYS MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4 TrenchMV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 ISOPLUS i4-PAC™ 200W (Tc) N-Channel - 75V 140A (Tc) 4.4 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 200nC @ 10V 9900pF @ 25V 10V ±20V
IXTF230N085T
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RFQ
1,824
有现货
IXYS MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 TrenchMV™ Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 ISOPLUS i4-PAC™ 200W (Tc) N-Channel - 85V 130A (Tc) 5.3 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250mA 187nC @ 10V 9900pF @ 25V 10V ±20V
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RFQ
860
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IXYS MOSFET N-CH 55V 150A I4-PAC-5 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 ISOPLUS i4-PAC™ - N-Channel - 55V 150A (Tc) 4.9 mOhm @ 110A, 10V 4V @ 1mA 86nC @ 10V - 10V ±20V
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RFQ
1,979
有现货
IXYS MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 ISOPLUS i4-PAC™ - N-Channel - 55V 100A (Tc) 7.2 mOhm @ 80A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - 10V ±20V
IXTF200N10T
单位
$7.17
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RFQ
1,403
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IXYS MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 TrenchMV™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 ISOPLUS i4-PAC™ 156W (Tc) N-Channel - 100V 90A (Tc) 7 mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 250µA 152nC @ 10V 9400pF @ 25V 10V ±30V
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