- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,657
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3PN | 150W (Tc) | P-Channel | 200V | 12.6A (Tc) | 470 mOhm @ 6.3A, 10V | 5V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1200pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
3,438
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247-3 | 150W (Tc) | P-Channel | 200V | 12A (Tc) | 500 mOhm @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 44nC @ 10V | 1200pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
888
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247-3 | 150W (Tc) | N-Channel | 200V | 20A (Tc) | 180 mOhm @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 70nC @ 10V | 1300pF @ 25V | 10V | ±20V |