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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,258
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN | HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerVDFN | 6-PQFN (2x2) | 2.1W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 6A (Ta), 13A (Tc) | 37 mOhm @ 7.8A, 10V | 2.4V @ 25µA | 13nC @ 10V | 580pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,445
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerVDFN | 6-PQFN (2x2) | 2.1W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 6A (Ta), 13A (Tc) | 37 mOhm @ 7.8A, 10V | 2.4V @ 25µA | 13nC @ 10V | 580pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |