- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,080
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 | SuperMESH™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 160W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 8A (Tc) | 1.3 Ohm @ 3.6A, 10V | 4.5V @ 100µA | 72nC @ 10V | 2115pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
2,803
有现货
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., | MDmesh™ K5 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 130W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 8A (Tc) | - | 5V @ 100µA | - | - | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
3,542
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 205W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 8A (Tc) | 1.4 Ohm @ 4A, 10V | 5V @ 250µA | 58nC @ 10V | 2730pF @ 25V | 10V | ±30V |