- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,689
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 198W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 7.4A (Tc) | 1.55 Ohm @ 3.7A, 10V | 5V @ 250µA | 59nC @ 10V | 2280pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
823
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 198W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 6.4A (Tc) | 1.9 Ohm @ 3.2A, 10V | 5V @ 250µA | 52nC @ 10V | 1880pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,615
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 198W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 7.2A (Tc) | 1.5 Ohm @ 3.6A, 10V | 5V @ 250µA | 52nC @ 10V | 1850pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,825
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 198W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 7A (Tc) | 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V | 5V @ 250µA | 35nC @ 10V | 1680pF @ 25V | 10V | ±30V |