- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,217
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | CoolMOS™ | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 96W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 11A (Tc) | 299 mOhm @ 6.6A, 10V | 3.5V @ 440µA | 29nC @ 10V | 1100pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,628
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 104.2W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 11.4A (Tc) | 310 mOhm @ 4.4A, 10V | 4.5V @ 440µA | 41nC @ 10V | 1100pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,404
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 104W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 8A (Tc) | 650 mOhm @ 5.1A, 10V | 3.9V @ 470µA | 60nC @ 10V | 1100pF @ 100V | 10V | ±20V |