晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	SIHP7N60E-E3	单位 $1.01	获得报价	PDF RFQ	993 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	78W (Tc)	N-Channel	-	600V	7A (Tc)	600 mOhm @ 3.5A, 10V	4V @ 250µA	40nC @ 10V	680pF @ 100V	10V	±30V
	IXTP32N65XM	单位 $4.33	获得报价	PDF RFQ	623 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 650V 14A TO-220	-	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	78W (Tc)	N-Channel	-	650V	14A (Tc)	135 mOhm @ 16A, 10V	5.5V @ 250µA	54nC @ 10V	2206pF @ 25V	10V	±30V
	SIHP6N65E-GE3	单位 $1.05	获得报价	PDF RFQ	1,022 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB	-	Active	-	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	78W (Tc)	N-Channel	-	650V	7A (Tc)	600 mOhm @ 3A, 10V	4V @ 250µA	48nC @ 10V	820pF @ 100V	10V	±30V
	SIHP7N60E-GE3	单位 $2.16	获得报价	PDF RFQ	3,389 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB	-	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	78W (Tc)	N-Channel	-	600V	7A (Tc)	600 mOhm @ 3.5A, 10V	4V @ 250µA	40nC @ 10V	680pF @ 100V	10V	±30V
	FQP630		获得报价	PDF RFQ	754 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220	QFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	78W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 4.5A, 10V	4V @ 250µA	25nC @ 10V	550pF @ 25V	10V	±25V
	FQP630TSTU		获得报价	PDF RFQ	2,220 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220	QFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	78W (Tc)	N-Channel	-	200V	9A (Tc)	400 mOhm @ 4.5A, 10V	4V @ 250µA	25nC @ 10V	550pF @ 25V	10V	±25V
	SIHP6N80E-GE3	单位 $2.52	获得报价	PDF RFQ	3,480 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB	E	Active	-	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	78W (Tc)	N-Channel	-	800V	5.4A (Tc)	940 mOhm @ 3A, 10V	4V @ 250µA	44nC @ 10V	827pF @ 100V	10V	±30V
	IRFB812PBF	单位 $0.46	获得报价	PDF RFQ	3,405 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	78W (Tc)	N-Channel	-	500V	3.6A (Tc)	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V	5V @ 250µA	20nC @ 10V	810pF @ 25V	10V	±20V
	TP90H180PS	单位 $10.40	获得报价	PDF RFQ	3,778 有现货	Transphorm	MOSFET N-CH 900V 15A TO220AB	-	Active	Tube	GaNFET (Gallium Nitride)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	78W (Tc)	N-Channel	-	900V	15A (Tc)	205 mOhm @ 10A, 10V	2.6V @ 500µA	10nC @ 8V	780pF @ 600V	10V	±18V
	FDP5N50NZ	单位 $1.37	获得报价	PDF RFQ	3,904 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220	UniFET-II™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	78W (Tc)	N-Channel	-	500V	4.5A (Tc)	1.5 Ohm @ 2.25A, 10V	5V @ 250µA	12nC @ 10V	440pF @ 25V	10V	±25V

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