- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,810
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB | MDmesh™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 60W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 5A (Tc) | 1.15 Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 9nC @ 10V | 270pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
914
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB | MDmesh™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 60W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 4A (Tc) | 1.35 Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 9.8nC @ 10V | 226pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
900
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V TO-220 | MDmesh™ II Plus | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 60W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 4.5A (Tc) | 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V | 4V @ 250µA | 8nC @ 10V | 232pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,839
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V TO-220 | MDmesh™ II Plus | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 60W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 5A (Tc) | 950 mOhm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 8.8nC @ 10V | 271pF @ 100V | 10V | ±25V |