- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,445
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220 | CoolMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO-220-3 | 60W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 6.1A (Tc) | 600 mOhm @ 3.3A, 10V | 3.5V @ 220µA | 27nC @ 10V | 550pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,016
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 | CoolMOS™ P7 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3 | 60W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 8A (Tc) | 600 mOhm @ 3.4A, 10V | 3.5V @ 170µA | 20nC @ 10V | 570pF @ 500V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,547
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 60W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 1000V | 800mA (Tc) | 21 Ohm @ 400mA, 0V | - | 14.6nC @ 5V | 325pF @ 25V | - | ±20V | ||
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获得报价 |
2,458
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 60W (Tc) | N-Channel | Depletion Mode | 500V | 800mA (Tc) | 4.6 Ohm @ 400mA, 0V | - | 12.7nC @ 5V | 312pF @ 25V | - | ±20V |