- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,516
有现货
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IXYS | FET N-CHANNEL | HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 240W (Tc) | N-Channel | - | 300V | 38A (Tc) | 50 mOhm @ 19A, 10V | 4.5V @ 1mA | 35nC @ 10V | 2240pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,784
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 341W (Tc) | N-Channel | - | 300V | 38A (Tc) | 69 mOhm @ 24A, 10V | 5V @ 250µA | 125nC @ 10V | 5168pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,565
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 300V 42A TO-220 | STripFET™ II | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 300V | 42A (Tc) | 75 mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 90nC @ 10V | 3200pF @ 25V | 10V | ±20V |