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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STP26NM60ND
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RFQ
3,138
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 21A TO220 FDmesh™ II Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 190W (Tc) N-Channel - 600V 21A (Tc) 175 mOhm @ 10.5A, 10V 5V @ 250µA 54.6nC @ 10V 1817pF @ 100V 10V ±25V
STP10NM60ND
单位
$3.11
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RFQ
3,776
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 8A TO-220 FDmesh™ II Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 70W (Tc) N-Channel - 600V 8A (Tc) 600 mOhm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 20nC @ 10V 577pF @ 50V 10V ±25V
STP28NM60ND
单位
$6.41
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RFQ
2,700
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 23A TO220 FDmesh™ II Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 190W (Tc) N-Channel - 600V 23A (Tc) 150 mOhm @ 11.5A, 10V 5V @ 250µA 62.5nC @ 10V 2090pF @ 100V 10V ±25V
STP34NM60ND
单位
$9.57
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RFQ
3,821
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB FDmesh™ II Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 190W (Tc) N-Channel - 600V 29A (Tc) 110 mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 250µA 80.4nC @ 10V 2785pF @ 50V 10V ±25V
STP18NM60ND
单位
$5.15
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RFQ
1,113
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 FDmesh™ II Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 110W (Tc) N-Channel - 600V 13A (Tc) 290 mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 250µA 34nC @ 10V 1030pF @ 50V 10V ±25V
STP13NM60ND
单位
$4.13
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RFQ
1,959
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 FDmesh™ II Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 109W (Tc) N-Channel - 600V 11A (Tc) 380 mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 24.5nC @ 10V 845pF @ 50V 10V ±25V
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