- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,441
有现货
|
Transphorm | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 | - | Active | Tube | GaNFET (Gallium Nitride) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 96W (Tc) | N-Channel | 650V | 20A (Tc) | 130 mOhm @ 13A, 8V | 2.6V @ 300µA | 14nC @ 8V | 760pF @ 400V | 8V | ±18V | ||
|
|
获得报价 |
1,650
有现货
|
Transphorm | MOSFET N-CH 650V 27A TO220 | - | Active | Tube | GaNFET (Gallium Nitride) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 104W (Tc) | N-Channel | 650V | 27A (Tc) | 72 mOhm @ 17A, 8V | 2.6V @ 400uA | 14nC @ 8V | 1130pF @ 400V | 8V | ±18V |