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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
GP2M010A065H
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RFQ
1,529
有现货
Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 198W (Tc) N-Channel - 650V 9.5A (Tc) 820 mOhm @ 4.75A, 10V 5V @ 250µA 36nC @ 10V 1670pF @ 25V 10V ±30V
GP1M013A050H
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RFQ
2,995
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 13A TO220 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 183W (Tc) N-Channel - 500V 13A (Tc) 480 mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 36nC @ 10V 1918pF @ 25V 10V ±30V
GP1M010A060H
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RFQ
3,231
有现货
Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 600V 10A TO220 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 198W (Tc) N-Channel - 600V 10A (Tc) 750 mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 36nC @ 10V 1891pF @ 25V 10V ±30V
IXFP16N60P3
单位
$3.99
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RFQ
2,508
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IXYS MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 HiPerFET™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 347W (Tc) N-Channel - 600V 16A (Tc) 470 mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 1.5mA 36nC @ 10V 1830pF @ 25V 10V ±30V
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