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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
Vgs(最大值) :
3 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AOT12N30L
单位
$0.46
获得报价
RFQ
780
有现货
Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 132W (Tc) N-Channel 300V 11.5A (Tc) 420 mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 16nC @ 10V 790pF @ 25V 10V ±30V
STP12N60M2
单位
$1.74
获得报价
RFQ
1,141
有现货
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB MDmesh™ M2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 85W (Tc) N-Channel 600V 9A (Tc) 450 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 16nC @ 10V 538pF @ 100V 10V ±25V
AOT9N40
单位
$0.43
获得报价
RFQ
673
有现货
Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 400V 8A TO220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 132W (Tc) N-Channel 400V 8A (Tc) 800 mOhm @ 4A, 10V 4.5V @ 250µA 16nC @ 10V 760pF @ 25V 10V ±30V
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