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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AOT5N60
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RFQ
3,947
有现货
Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 132W (Tc) N-Channel 600V 5A (Tc) 1.8 Ohm @ 2.5A, 10V 4.5V @ 250µA 20nC @ 10V 700pF @ 25V 10V ±30V
AOT3N100
单位
$0.85
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RFQ
733
有现货
Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 132W (Tc) N-Channel 1000V 2.8A (Tc) 6 Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 20nC @ 10V 830pF @ 25V 10V ±30V
STP10NM60ND
单位
$3.11
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RFQ
3,776
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 8A TO-220 FDmesh™ II Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 70W (Tc) N-Channel 600V 8A (Tc) 600 mOhm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 20nC @ 10V 577pF @ 50V 10V ±25V
TSM4N80CZ C0G
单位
$1.70
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RFQ
1,030
有现货
Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 38.7W (Tc) N-Channel 800V 4A (Tc) 3 Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V 955pF @ 25V 10V ±30V
CDM22010-650 SL
单位
$2.17
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RFQ
1,395
有现货
Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 10A 650V TO220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 2W (Ta), 156W (Tc) N-Channel 650V 10A (Ta) 1 Ohm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V 1168pF @ 25V 10V 30V
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