- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,480
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | aMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 83W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 4A (Tc) | 900 mOhm @ 2A, 10V | 4.1V @ 250µA | 6nC @ 10V | 263pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,279
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 20A TO220 | aMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 266W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 20A (Tc) | 199 mOhm @ 10A, 10V | 4.1V @ 250µA | 19.8nC @ 10V | 1038pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,705
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | aMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 178W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 11A (Tc) | 399 mOhm @ 3.8A, 10V | 4.1V @ 250µA | 11nC @ 10V | 545pF @ 100V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1