- 包装材料 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,289
有现货
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220 | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 120W (Tc) | N-Channel | 650V | 6.5A (Tc) | 1.4 Ohm @ 3.25A, 10V | 5V @ 250µA | 22nC @ 10V | 1072pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
655
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220F | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 36W (Tc) | N-Channel | 200V | 6.5A (Tc) | 400 mOhm @ 3.25A, 5V | 2V @ 250µA | 27nC @ 5V | 755pF @ 25V | 5V | ±20V |