- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,568
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 10A TO-220 | SuperMESH3™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 950V | 10A (Tc) | 850 mOhm @ 5A, 10V | 5V @ 100µA | 51nC @ 10V | 1620pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,481
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 24A | MDmesh™ DM2 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 24A (Tc) | 130 mOhm @ 12A, 10V | 5V @ 250µA | 43nC @ 10V | 1870pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,369
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 26A TO220 | MDmesh™ II Plus | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 26A (Tc) | 125 mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 45.5nC @ 10V | 1781pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,596
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 800V 14A TO-220 | SuperMESH5™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 14A (Tc) | 375 mOhm @ 7A, 10V | 5V @ 100µA | 32nC @ 10V | 1100pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,726
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A TO220 | SuperMESH5™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 12A (Tc) | 450 mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 100µA | 29nC @ 10V | 870pF @ 100V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1