- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,460
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220AB | MDmesh™ M2 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 110W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 13A (Tc) | 280 mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 250µA | 19.5nC @ 10V | 710pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,141
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB | MDmesh™ M2 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 85W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 9A (Tc) | 450 mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 16nC @ 10V | 538pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,281
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | MDmesh™ M2 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 110W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 11A (Tc) | 360 mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 19.5nC @ 10V | 718pF @ 100V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,534
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 16A TO-220AB | MDmesh™ M2 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 16A (Tc) | 230 mOhm @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 29nC @ 10V | 1060pF @ 100V | 10V | ±25V |
粤ICP备2022113175号-1