- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,517
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V IPAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 70W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 6A (Tc) | 1.3 Ohm @ 2.7A, 10V | 4.5V @ 50µA | 34nC @ 10V | 895pF @ 100V | 10V | ±30V | |||
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获得报价 |
3,016
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK | SuperMESH3™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 110W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 5.4A (Tc) | 1.3 Ohm @ 2.7A, 10V | 4.5V @ 50µA | 33nC @ 10V | 880pF @ 50V | 10V | ±30V |