- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,911
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-92-3 | 625mW (Ta) | P-Channel | 100V | 140mA (Ta) | 20 Ohm @ 150mA, 10V | 3.5V @ 1mA | 50pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,352
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3 | - | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-92-3 | 700mW (Ta) | P-Channel | 100V | 230mA (Ta) | 8 Ohm @ 375mA, 10V | 3.5V @ 1mA | 100pF @ 25V | 10V | ±20V |