- 零件状态 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
647
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | - | N-Channel | 900V | 3.6A (Tc) | 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V | 4V @ 250µA | 78nC @ 10V | 1200pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,439
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 11A TO-262 | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 3W (Ta), 125W (Tc) | P-Channel | 200V | 11A (Tc) | 500 mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 44nC @ 10V | 1200pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,865
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 11A TO-262 | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 3W (Ta), 125W (Tc) | P-Channel | 200V | 11A (Tc) | 500 mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 44nC @ 10V | 1200pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1