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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NDF08N50ZH
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RFQ
866
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 35W (Tc) N-Channel - 500V 8.5A (Tc) 850 mOhm @ 3.6A, 10V 4.5V @ 100µA 46nC @ 10V 1095pF @ 25V 10V ±30V
NDF08N50ZG
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RFQ
2,905
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP - Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 35W (Tc) N-Channel - 500V 8.5A (Tc) 850 mOhm @ 3.6A, 10V 4.5V @ 100µA 46nC @ 10V 1095pF @ 25V 10V ±30V
STP14NF12FP
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RFQ
1,884
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 120V 8.5A TO-220FP STripFET™ II Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 25W (Tc) N-Channel - 120V 8.5A (Tc) 180 mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 21nC @ 10V 460pF @ 25V 10V ±20V
STF12N65M5
单位
$3.20
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RFQ
3,949
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP MDmesh™ V Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-5 Full Pack TO-220FP 25W (Tc) N-Channel - 650V 8.5A (Tc) 430 mOhm @ 4.3A, 10V 5V @ 250µA 22nC @ 10V 900pF @ 100V 10V ±25V
STF11NM50N
单位
$2.82
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RFQ
2,680
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP MDmesh™ II Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 25W (Tc) N-Channel - 500V 8.5A (Tc) 470 mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 19nC @ 10V 547pF @ 50V 10V ±25V
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