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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STF26NM60N-H
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP MDmesh™ II Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 30W (Tc) N-Channel - 600V 20A (Tc) 165 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V 1800pF @ 50V 10V ±25V
STF26NM60N
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RFQ
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F MDmesh™ II Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 35W (Tc) N-Channel - 600V 20A (Tc) 165 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V 1800pF @ 50V 10V ±30V
STF28N65M2
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RFQ
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP MDmesh™ M2 Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220FP 30W (Tc) N-Channel - 650V 20A (Tc) 180 mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 1440pF @ 100V 10V ±25V
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