- 零件状态 :
- 功耗（最大） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,586
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A DPAK | MDmesh™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 90W (Tc) | N-Channel | - | 500V | 12A (Tc) | 320 mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 100µA | 27nC @ 10V | 816pF @ 50V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,690
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 30W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 12A (Tc) | 100 mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 12nC @ 10V | 315pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,240
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | STripFET™ II | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 42.8W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 12A (Tc) | 100 mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 250µA | 10nC @ 5V | 350pF @ 25V | 5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
617
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A DPAK | MDmesh™ V | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 90W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 12A (Tc) | 299 mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 250µA | 45nC @ 10V | 1250pF @ 100V | 10V | ±25V |
粤ICP备2022113175号-1