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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFR18N15DTRPBF
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RFQ
1,814
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 18A DPAK HEXFET® Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 110W (Tc) N-Channel - 150V 18A (Tc) 125 mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43nC @ 10V 900pF @ 25V 10V ±30V
IRFR24N15DTRPBF
单位
$1.50
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RFQ
2,734
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 24A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 140W (Tc) N-Channel - 150V 24A (Tc) 95 mOhm @ 14A, 10V 5V @ 250µA 45nC @ 10V 890pF @ 25V 10V ±30V
FQD5N15TM
单位
$0.66
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RFQ
672
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK QFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 30W (Tc) N-Channel - 150V 4.3A (Tc) 800 mOhm @ 2.15A, 10V 4V @ 250µA 7nC @ 10V 230pF @ 25V 10V ±25V
IRFR4615TRLPBF
单位
$1.47
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RFQ
723
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 33A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 144W (Tc) N-Channel - 150V 33A (Tc) 42 mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 26nC @ 10V 1750pF @ 50V 10V ±20V
FDD770N15A
单位
$0.93
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RFQ
1,248
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ON Semiconductor MOSFET N CH 150V 18A DPAK PowerTrench® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 56.8W (Tc) N-Channel - 150V 18A (Tc) 77 mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 11nC @ 10V 765pF @ 75V 10V ±20V
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