- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,264
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 6W (Tc) | P-Channel | - | 12V | 15A (Tc) | 22 mOhm@ 13.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 38nC @ 4.5V | 3600pF @ 6V | 2.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,187
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 20V 8SOIC | TrenchFET® Gen III | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | - | 14 mOhm @ 9A, 4.5V | 1V @ 250µA | - | 3250pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,120
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 20V 8SOIC | TrenchFET® Gen III | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | - | 14 mOhm @ 9A, 4.5V | 1V @ 250µA | - | 3250pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,526
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC | TrenchFET® Gen III | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 15.4A (Tc) | 14 mOhm @ 9A, 4.5V | 1V @ 250µA | 99nC @ 8V | 3250pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |