- 工作温度 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
685
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 | U-MOSIII-H | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | VS-6 (2.9x2.8) | 700mW (Ta) | P-Channel | - | 30V | 5A (Ta) | 59 mOhm @ 2.5A, 10V | 1.2V @ 200µA | 12.3nC @ 10V | 490pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,387
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 | U-MOSIII | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | VS-8 (2.9x1.5) | 330mW (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 20V | 2.7A (Ta) | 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V | 1.2V @ 200µA | 6nC @ 5V | 470pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | |||
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获得报价 |
3,733
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 | U-MOSIII | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | VS-8 (2.9x1.5) | 700mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 6A (Ta) | 28 mOhm @ 3A, 4.5V | 1.2V @ 200µA | 18nC @ 5V | 1600pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | |||
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获得报价 |
3,193
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST | U-MOSIV | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C | Surface Mount | 6-SMD, Flat Leads | UF6 | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 2.5A (Ta) | 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.2V @ 200µA | - | 800pF @ 10V | 2V, 4.5V | ±10V |