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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TPC6109-H(TE85L,FM
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RFQ
685
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 U-MOSIII-H Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 VS-6 (2.9x2.8) 700mW (Ta) P-Channel - 30V 5A (Ta) 59 mOhm @ 2.5A, 10V 1.2V @ 200µA 12.3nC @ 10V 490pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
2SJ377(TE16R1,NQ)
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RFQ
3,612
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PW-MOLD 20W (Tc) P-Channel - 60V 5A (Ta) 190 mOhm @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 22nC @ 10V 630pF @ 10V 4V, 10V ±20V
SSM3J307T(TE85L,F)
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RFQ
1,323
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 5A TSM U-MOSV Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM 700mW (Ta) P-Channel - 20V 5A (Ta) 31 mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 19nC @ 4.5V 1170pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SSM6J771G,LF
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RFQ
1,172
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA, WLCSP - 1.2W (Ta) P-Channel - 20V 5A (Ta) 31 mOhm @ 3A, 8.5V 1.2V @ 1mA, 3V 9.8nC @ 4.5V 870pF @ 10V 2.5V, 8.5V ±12V
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