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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	2SJ377(TE16R1,NQ)		获得报价	PDF RFQ	3,612 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD	-	Discontinued at Digi-Key	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	PW-MOLD	20W (Tc)	P-Channel	-	60V	5A (Ta)	190 mOhm @ 2.5A, 10V	2V @ 1mA	22nC @ 10V	630pF @ 10V	4V, 10V	±20V
	2SJ168TE85LF		获得报价	PDF RFQ	2,612 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI	-	Discontinued at Digi-Key	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59	200mW (Ta)	P-Channel	-	60V	200mA (Ta)	2 Ohm @ 50mA, 10V	-	-	85pF @ 10V	10V	±20V
	SSM3J356R,LF		获得报价	PDF RFQ	2,194 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 2A SOT23F	U-MOSVI	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-23-3 Flat Leads	SOT-23F	1W (Ta)	P-Channel	-	60V	2A (Ta)	300 mOhm @ 1A, 10V	2V @ 1mA	8.3nC @ 10V	330pF @ 10V	4V, 10V	+10V, -20V
	SSM3J168F,LF		获得报价	PDF RFQ	1,878 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI	U-MOSVI	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C	Surface Mount	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini	1.2W (Ta)	P-Channel	-	60V	400mA (Ta)	1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V	2V @ 1mA	3nC @ 10V	82pF @ 10V	4V, 10V	+20V, -16V
	SSM3J351R,LF		获得报价	PDF RFQ	2,292 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT23F	U-MOSVI	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	150°C	Surface Mount	SOT-23-3 Flat Leads	SOT-23F	2W (Ta)	P-Channel	-	60V	3.5A (Ta)	134 mOhm @ 1A, 10V	2V @ 1mA	15.1nC @ 10V	660pF @ 10V	4V, 10V	+10V, -20V

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