- 系列 :
- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
685
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 | U-MOSIII-H | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | VS-6 (2.9x2.8) | 700mW (Ta) | P-Channel | - | 30V | 5A (Ta) | 59 mOhm @ 2.5A, 10V | 1.2V @ 200µA | 12.3nC @ 10V | 490pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
|
获得报价 |
1,762
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6 | U-MOSV | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | VS-6 (2.9x2.8) | 700mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 5.5A (Ta) | 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V | 1V @ 1mA | 10nC @ 5V | 700pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V |