- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
887
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 0.1A USM | π-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | USM | 150mW (Ta) | P-Channel | - | 30V | 100mA (Ta) | 12 Ohm @ 10mA, 4V | 1.7V @ 100µA | - | 9.1pF @ 3V | 2.5V, 4V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,778
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM | π-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-723 | VESM | 150mW (Ta) | P-Channel | - | 30V | 100mA (Ta) | 12 Ohm @ 10mA, 4V | 1.7V @ 100µA | - | 9.1pF @ 3V | 2.5V, 4V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,855
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B | U-MOSVII | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-UDFNB (2x2) | 1.25W (Ta) | P-Channel | - | 12V | 14A (Ta) | 9.1 mOhm @ 4A, 8V | 1V @ 1mA | 47nC @ 4.5V | 3350pF @ 6V | 1.8V, 8V | ±10V |
粤ICP备2022113175号-1