- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,553
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 94W (Tc) | N-Channel | 800V | 3A (Tc) | 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 19nC @ 10V | 696pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,769
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 99W (Tc) | N-Channel | 1000V | 2.5A (Tc) | 6 Ohm @ 1.25A, 10V | 5.5V @ 250µA | 19nC @ 10V | 664pF @ 25V | 10V | ±30V |