- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,434
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 50W (Tc) | N-Channel | 100V | 15A (Tc) | 90 mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.3nC @ 10V | 1480pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,318
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 83.3W (Tc) | N-Channel | 100V | 32A (Tc) | 37 mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 34nC @ 10V | 1598pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
862
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 120W (Tc) | N-Channel | 100V | 70A (Tc) | 13 mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 145nC @ 10V | 4300pF @ 30V | 10V | ±20V |