- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,615
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK | MDmesh™ II | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 45W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 4.6A (Tc) | 920 mOhm @ 2.3A, 10V | 4V @ 250µA | 13nC @ 10V | 420pF @ 50V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,203
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 6A | MDmesh™ K5 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | H2Pak-2 | 110W (Tc) | N-Channel | - | 950V | 6A (Tc) | 1.25 Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 100µA | 13nC @ 10V | 450pF @ 100V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,962
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK | SuperMESH3™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 45W (Tc) | N-Channel | - | 620V | 2.7A (Tc) | 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V | 4.5V @ 50µA | 13nC @ 10V | 385pF @ 25V | 10V | ±30V |