- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
6 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,815
有现货
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STMicroelectronics | POWER MOSFET N-CHANNEL TO-220 | DeepGATE™, STripFET™ | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 150W (Tc) | N-Channel | - | 68V | 85A (Tc) | 9.8 mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 90nC @ 10V | 5600pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,204
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220 | STripFET™ F6 | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 176W (Tc) | N-Channel | - | 68V | 110A (Tc) | 6.5 mOhm @ 55A, 10V | 4V @ 250µA | 100nC @ 10V | 5850pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,657
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2 | STripFET™ F6 | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | H2Pak-2 | 176W (Tc) | N-Channel | - | 68V | 80A (Tc) | 6.3 mOhm @ 55A, 10V | 4V @ 250µA | 100nC @ 10V | 5850pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,251
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 68V 96A TO-220 | DeepGATE™, STripFET™ VI | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220 | 110W (Tc) | N-Channel | - | 68V | 96A (Tc) | 8 mOhm @ 48A, 10V | 4V @ 250µA | 99nC @ 10V | 5850pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,788
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 68V 80A TO-220 | STripFET™ II | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220-3 | 190W (Tc) | N-Channel | - | 68V | 80A (Tc) | 14 mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 75nC @ 10V | 2550pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,721
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB | STripFET™ II | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 190W (Tc) | N-Channel | - | 68V | 98A (Tc) | 9.8 mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 75nC @ 10V | 2550pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1