- 供应商设备包 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,222
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | H2PAK-6 | 315W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 2.3 mOhm @ 60A, 10V | 4.5V @ 250µA | 180nC @ 10V | 12800pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,231
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | DeepGATE™, STripFET™ VII | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | H2PAK-6 | 315W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 2.5 mOhm @ 60A, 10V | 3.8V @ 250µA | 180nC @ 10V | 12800pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,980
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | DeepGATE™, STripFET™ VII | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | H2Pak-2 | 315W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 2.5 mOhm @ 60A, 10V | 3.8V @ 250µA | 180nC @ 10V | 12800pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,737
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | H2Pak-2 | 315W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 2.3 mOhm @ 60A, 10V | 4.5V @ 250µA | 180nC @ 10V | 12800pF @ 25V | 10V | ±20V |