- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,360
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 3.3W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 4A (Tc) | 100 mOhm @ 1.5A, 10V | 2.8V @ 250µA | 9nC @ 5V | 340pF @ 25V | 5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
1,410
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 3.3W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 4A (Tc) | 100 mOhm @ 1.5A, 10V | 2.8V @ 250µA | 9nC @ 5V | 340pF @ 25V | 5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
3,188
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 | STripFET™ II | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 3.3W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 6.5A (Tc) | 50 mOhm @ 2A, 10V | 1V @ 250µA | 9nC @ 10V | 330pF @ 25V | 5V, 10V | ±16V |