- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,220
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6 | STripFET™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | SOT-23-6 | 1.6W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 3A (Tc) | 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | 510pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,952
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2 | DeepGATE™, STripFET™ VII | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | PowerFlat™ (2x2) | 2.4W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 4A (Tc) | 100 mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | 510pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,850
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23 | STripFET™ H7 | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 350mW (Tc) | P-Channel | - | 20V | 1.4A (Ta) | 100 mOhm @ 700mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 4.8nC @ 4.5V | 510pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |