- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,876
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC | STripFET™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.7W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 9A (Tc) | 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 2390pF @ 16V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
971
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 | DeepGATE™, STripFET™ VII | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | PowerFlat™ (2x2) | 2.4W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 8A (Tc) | 22.5 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 2390pF @ 16V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,550
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 | STripFET™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | SOT-23-6 | 1.6W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 7A (Tc) | 22.5 mOhm @ 3.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 2390pF @ 16V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,770
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT | STripFET™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (3.3x3.3) | 2.9W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 9A (Tc) | 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 2390pF @ 16V | 1.5V, 4.5V | ±8V |