- 供应商设备包 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,191
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 50A DPAK | STripFET™ III | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 60W (Tc) | N-Channel | - | 24V | 50A (Tc) | 10.5 mOhm @ 25A, 10V | 1.8V @ 250µA | 24nC @ 10V | 1400pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,337
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC | STripFET™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC | 3W (Ta), 50W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 50A (Tc) | 10.5 mOhm @ 6A, 10V | 1V @ 250µA | 12nC @ 4.5V | 965pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
1,569
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | STripFET™ II | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 150W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 50A (Tc) | 28 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 80nC @ 10V | 1780pF @ 25V | 10V | ±20V |