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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STH110N10F7-6
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RFQ
2,507
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 DeepGATE™, STripFET™ VII Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) H2PAK-6 150W (Tc) N-Channel - 100V 110A (Tc) 6.5 mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 72nC @ 10V 5117pF @ 50V 10V ±20V
STL70N10F3
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RFQ
2,599
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STMicroelectronics MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6 STripFET™ III Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 136W (Tc) N-Channel - 100V 82A (Tc) 8.4 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 56nC @ 10V 3210pF @ 25V 10V ±20V
STS4NF100
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RFQ
2,342
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC STripFET™ II Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 100V 4A (Tc) 70 mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 41nC @ 10V 870pF @ 25V 10V ±20V
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RFQ
1,569
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK STripFET™ II Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 150W (Tc) N-Channel - 100V 50A (Tc) 28 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 80nC @ 10V 1780pF @ 25V 10V ±20V
STH180N10F3-6
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$5.58
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RFQ
3,816
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK STripFET™ III Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) H2PAK-6 315W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 4.5 mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 114.6nC @ 10V 6665pF @ 25V 10V ±20V
STN1NF10
单位
$0.86
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RFQ
3,487
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223 STripFET™ II Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 2.5W (Tc) N-Channel - 100V 1A (Tc) 800 mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 6nC @ 10V 105pF @ 25V 10V ±20V
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